トランジスタとFETの使い分け

１．トランジスタ

動作

ベースからエミッタに電流を流す(IB)とhfe倍の電流がコレクタからエミッタに流れる(Ic)。

特徴

･ベース電流でコレクタ電流を制御する。(入力のインピーダンスが低い)
･ベースとエミッタ間はダイオードの構造の為PN接合の電圧低下を考慮する必要がある。
･コレクタ電流は必ずベースを通る為、前段に影響を与える場合がある。
･一般にFETより発熱が大きい。
･一般にFETより速度が遅い。

用途(使い分け)

・電流増幅(アナログ的な使い方)
・FETに比較し低速制御になる
・FETに比較し大型になる

２．FET

動作(エンハンスメント型)

ソースを基準としてゲートに電圧をかけるとソースとドレインの間に電流(ID)が流れる。

特徴

･ゲート電圧でドレイン電流を制御する(入力のインピーダンスが高い)。
･ゲートの構造はコンデンサと同じ。高速動作では容量を考慮する必要がある。
･ゲートとドレイン電流とは分離(絶縁)されているので前段に影響を与えにくい。
･一般にトランジスタより発熱が少ない。
･一般にトランジスタより速度が速い。

用途(使い分け)

・スイッチング(ON-OFF)制御(デジタル的な使い方)
・トランジスタに比較し高速制御が可能
・トランジスタに比較し小型にできる